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化学気相成長法で二次元（2D）遷移金属ジカルコゲニドの横方向ヘテロ構造体を成長させることによって、2D電子デバイスや光電子デバイスを構築する新しい機会が開かれる。
しかし、空間的な境界が明確な横方向ヘテロ構造体を複数作製することは困難である。
今回H Gutiérrezたちは、同一の舟形容器に載せたMoX粉末原料とWX粉末原料の上に水蒸気流を送りながらガス環境を切り替えることによって、2D多接合ヘテロ構造体を成長させる簡便なワンポット法について報告している。
このガス環境が、前駆体の揮発と水による酸化を通して気相中の前駆体種を調節するため、前駆体の選択的析出を制御できる。
著者たちは、この手法を用いて、MoXとWXからなる多接合ヘテロ構造体や、合金化した硫化物/セレン化物ヘテロ構造体を、1つの反応器の中で作製している。
Nature553, 7686
doi: 10.1038/nature25155
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